ごあいさつ - EIDEC
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ごあいさつ

EIDECは2011年にEUV(極端紫外線)露光システムに不可欠となる、マスク基板(ブランクス)やマスクパターンの欠陥検査・評価技術、及びレジストの材料技術など、ハーフピッチ10nm台に対応できる次世代リソグラフィー基盤技術の研究開発を目的として設立されました。2013年からは、DSA(自己組織化)技術との組み合わせでサブ10nmを可能にするための開発も包含し、当社の特徴でもある世界的連携を軸とした研究開発を進めてまいりました。

推進にあたっては、経済産業省、国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)、国立研究開発法人 産業技術総合研究所などからの強力なご支援のもと、国内外の有力な半導体デバイスメーカー、マスク関連メーカー、レジスト関連メーカー、半導体製造装置メーカーおよび大学と連携をとりながら研究開発を進め、2016年3月にEUVプロジェクトを成功裏に修了することができました。関係者の皆様に厚く御礼申し上げる次第です。

今後は、引き続き民間コンソーシアムとして、より広範な次世代デバイスの研究開発を行うプラットフォームを提供してまいります。このため社名を「株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター」に変更しました。

社名は変わりますが、これまで、関係者の皆様に親しまれた略称「EIDEC」は残します。

デバイス設計にあたって問題となる、ナノレベル欠陥の改善・制御を所期テーマとして捉え、この度、国家プロジェクトとして、「超先端材料超高速開発基盤技術プロジェクト」に係る公募について、ナノレベルディフェクト制御という観点から部分提案を行い、採択を受けることができました。この国家プロジェクトを軸として、民間研究開発も同時並行的に推し進める形で、新会社としての一歩を踏み出します。

皆様方の強力なご支援を引き続き賜りたく、心よりお願い申し上げます。

(株)先端ナノプロセス基盤開発センター(EIDEC)
代表取締役社長 石内秀美
取締役 林直也
取締役 井上壮一